《防靜電放電（ESD）損傷技術(shù)》研修班
講師：來萍 瀏覽次數(shù)：2600
課程描述INTRODUCTION
防靜電放電（ESD）損傷技術(shù)培訓(xùn)
· 研發(fā)經(jīng)理· 電子工程師· 系統(tǒng)工程師
培訓(xùn)講師：來萍
課程價格：￥元/人
培訓(xùn)天數(shù)：2天
日程安排SCHEDULE
課程大綱Syllabus
防靜電放電（ESD）損傷技術(shù)培訓(xùn)
課程大綱
一、電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識
本章介紹有關(guān)靜電和靜電放電的基本原理，以及對元器件損傷的主要機理和模式。主要內(nèi)容有：
1.1 靜電和靜電放電的定義和特點;
1.2 對靜電放電認識的發(fā)展歷史 ;
1.3 靜電的產(chǎn)生:1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電1.3.3 靜電荷1.3.4 靜電勢1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 ;
1.4 靜電的來源:1.4.1 人體靜電 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 1.4.3 器件本身的靜電 1.4.4 其它靜電來源;
1.5 靜電放電的三種模式:1.5.1 帶電人體的放電模式 1.5.2 帶電機器的放電模式 1.5.3 充電器件的放電模式;
1.6 靜電放電失效:1.6.1 失效模式 1.6.2 失效機理;
二、制造過程的防靜電損傷技術(shù)
本章介紹在電子元器件制造和裝配過程中，對環(huán)境的靜電防護要求，以保證電子元器件在制造和裝配過程中的靜電安全。主要內(nèi)容有：
2.1 作用和意義: 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國內(nèi)外企業(yè)的狀況 ;
2.2 靜電對電子產(chǎn)品的損害: 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過程;
2.3 靜電防保的目的和總的原則: 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑;
2.4 靜電防護材料: 2.4.1與靜電防護材料有關(guān)的基本概念 2.4.2靜電防保材料的主要參數(shù) ;
2.5 靜電防保器材 : 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜合消除器（消電器、電中和器或離子平衡器）;
2.6 靜電防保的具體措施: 2.6.1建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運送和存儲工程的防靜電措施;2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護的管理工作 ;
三、電子元器件抗ESD能力的檢測及分析技術(shù)
本章介紹對電子元器件的抗ESD水平進行檢測的技術(shù)。包括國內(nèi)外抗ESD檢測的主要標準，檢測的模型和方法以及實際的一些檢測結(jié)果和遇到的問題。主要內(nèi)容有：
3.1 抗靜電檢測的作用和意義 ;
3.2 靜電放電的標準波形;
3.3 抗ESD檢測標準: 3.3.1 電子元器件ESDS檢測及分類的常用標準 3.3.2 標準試驗方法的主要內(nèi)容;
3.4 實際ESD檢測的結(jié)果統(tǒng)計及分析: 3.4.1 試驗條件 3.4.2 ESD評價試驗結(jié)果分析 ;
3.5 ESD檢測中經(jīng)常遇到的一些問題 ;
3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù): 3.6.1 端口I－V特性檢測 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) ;
3.7 ESD和EOS的判別方法討論: 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法
四、電子元器件抗ESD設(shè)計技術(shù)
本章介紹電子元器件抗ESD損傷的設(shè)計技術(shù)，主要包括抗ESD設(shè)計的主要原則、基本保護電路和*的大規(guī)模CMOS電路中保護電路的設(shè)計。主要內(nèi)容有：
4.1 元器件抗ESD設(shè)計基礎(chǔ);
4.2 元器件基本抗ESD保護電路;
4.3 CMOS電路ESD失效模式和機理;
4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計策略;
4.5 CMOS電路基本ESD保護電路的設(shè)計;
4.6 電子設(shè)備ESD損傷途徑及其保護電路設(shè)計;
4.7 工藝控制和管理;
防靜電放電（ESD）損傷技術(shù)培訓(xùn)
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